KOAN 压控晶振相位噪声的形成因素主要三方面
A.近端相噪主要是晶体 Q 值来决定。高频晶体有很高的近载波相位噪声（Close-inPhase Noise）， 因为他们有低的 Q 值和更宽的边带；
B 中端相噪主要是晶体外围电路(包括 IC)来决定；
C 远端相噪主要是信号输出(白噪声)来决定。
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KOAN 压控晶振如何提高压控灵敏度
Lq/C0 越小，或者 L1/C1 越大时灵敏度越高，但高 Q 值 Lq/C0 总是很大，压控振荡器，因此，应选择合适的参数（增大晶片和电极尺寸静态电容 C0 即增大）和选配一个恰当的扩展频偏网络。
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KOAN 压控振荡器的频率压控线性介绍
与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。说明：典型的 VCXO 频率压控线性为：≤±10%，压控振荡器报价，≤±20%。简单的 VCXO 频率压控线性计算方法为(当频率压控极性为正极性时)。
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