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钨铜材料性能
钨能导电，熔点（3410℃）和沸点（5900℃）比其他金属都高，电子逸出功小(4.5ev）与铁相当，在高温时有强烈的电子发射能力，强硬度高、高温性能好、电阻率低、膨胀系数小。
在金属钨中添加稀土氧化物来刺激它的电子逸出功，电极的起弧性能更好，弧柱的稳定性更高，电极烧损率更小。
通常的稀土添加剂有氧化铜、氧化错、氧化钇和氧化钍等。
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熔浸法仍是目前制备钨铜合金中应用为广泛的方法〔9一’。]。由于钨的熔点高，在一般高温 (<1700℃)下烧结收缩小，难以致密化，又因钨粉本身硬度高，成形性差，靠模压难以达到高钨含量所需要的骨架密度。
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钨铜电子封装片提供热传导之间的170和220 w / mK的降低热膨胀系数相匹配的半导体二极管制造（5.6-9.0 PPM/℃） 。激光模具通常是建立在GaAs基板使用，如分子束外延或有机金属化学气相沉积过程。后的化学成分可能包括或钢群化錄铟（InGaP) 。近，铟家氮化物（InGaN）激光器已使用一层外延横向杂草丛生的氮化嫁之间的蓝宝石和半导体相匹配的晶格能在蓝宝石基板制造。
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