CMOS图像传感器Ic又称为互补金属氧化物半导体图像传感器。是一种用传统的半导体芯片工艺方法将光敏元件、放大器、ADC/存储器、数字信号处理器和计算机接口电路集成在一块硅片上的图像传感器。
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CMOS图像传感器的特点：结果简单、成品率高、价格低廉。应用也比较广泛：如网络摄像头、超市、楼宇之间的监控、手机照相、汽车倒车影像、安防。
CMOS图像传感器结构：像素矩阵、模拟信号处理单元、数字信号处理单元、内嵌微控制器、寄存器控制接口、数据输出端口、JPEG压缩
CCD传感器
CCD是应用在摄影摄像方面的技术元件，CMOS则应用于较低影像质量的产品中，它的优点是制构成本较CCD更低，重力传感器 ic有哪些，功耗也低得多，这也是市场很多采用USB接口的产品无须外接电源且价钱**的缘由。固然在技术上有较大的不同，但CCD和CMOS两者性能差距不是很大，只是CMOS摄像头对光源的恳求要高一些，但该问题曾经基本得四处理。CCD元件的尺寸多为1/3英寸或者1/4英寸，在相同的分辨率下，宜选择元件尺寸较大的为好。图像传感器又叫感光元件。
磁电阻/超导复合式磁传感器早由D. Robbes等人提出，ic读卡器里的传感器，该类传感器主要由磁电阻传感器和超导磁场放大器构成。其中超导磁场放大器是一个由超导薄膜构成的闭合环路。超导环路中有一段宽度狭窄区域。磁电阻传感器位于超导磁场放大器环路狭窄区域上方并由绝缘层分隔。
对于超导磁场放大器而言，其磁场放大倍数主要由放大器的尺寸和狭窄区域宽度决定。增大超导磁场放大器的尺寸，以及减小狭窄区域的宽度，霍尔传感器ic，都会显著增加超导磁场放大器的磁场放大倍数。例如，理论计算表明，当超导磁场放大器直径达到25 mm，狭窄区域宽度为2 μm时，磁场放大倍数将达到3500 倍，而相应的磁电阻/超导复合式磁传感器的磁场探测能力将有望达到1 f，甚至更低的磁场。
磁电阻/超导复合式磁传感器的性能不仅取决于超导磁场放大器的磁场放大能力，同时也取决于磁电阻传感器的灵敏度、噪声等特性。目前在磁电阻传感器领域性能为优异、同时有应用价值及潜力的当属GMR和TMR磁传感器。下面将分别对GMR/超导复合式磁传感器的发展及本课题组在TMR/超导复合式磁传感器制备、测试方面开展的工作进行介绍。
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