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快**二极管MURF1060CT，肖特基二极管，ASEMI原装进口整流实力品牌，让您不再为产品质量差、上机炸毁的问题烦恼。现此时很多采购商因为贪图便宜而采购些不良产品导致上机问题烦恼很多，使机子停止运行耽误了生产产品的时间；俗话说时间就是金钱，因为贪图便宜反而使实际金额利润损失了不少，这样的话是得不偿失。如果一开始采购质量好的快**二极管，便不会产生那么多的问题和烦恼了，肖特基二极管参数，即使因为价格差的利润没赚更多，但反而使工程运行更保障，客户更加信赖，肖特基二极管封装，自己也不会徒添许多烦恼而耽误了其他的事情，所以选择一款好的元器件是十分重要的！
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为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。
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由于SBD的反向势垒较薄，贴片肖特基二极管，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管。
SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
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