MBR1045CT采用俄罗斯米克朗(Mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为显著，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在品质工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备，全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，二极管肖特基，外观光滑自然美观。
UL为美国安规认证，肖特基二极管符号，是世界上安全试验和鉴定机构整流桥
代表安全检检产品运作良率是世界上安全试验和鉴定机构
激光打标，解决油墨丝印易掉色问题，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料
我司技术力量雄厚，可协同用户研发、设计新产品，并可提供现场指导。
“诚信”是强元芯屹立于行业之本，未来，我们仍将恪守“诚信，赵县肖特基二极管，**，肖特基二极管特性，务实”的服务理念，不断完 善创新，努力为客户和公司同仁共创双嬴。
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肖特基二极管
优点：
1. 正向压降小 ： 通常0.4V左右
2. 反向**时间极短: 可达5纳秒
3. 大的正向电流: 1A---300A之间
缺点：
1.反向工作电压VR低: 通常200V以下
2.漏电流稍大些 : 仅有10mA
例1：B82-400
1.反向工作电压VRRM:40V
2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)
3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=5A
5.浪涌电流IF***=100A(T=10ms)
例2：1N5817，1N5818，1N5819
1.反向工作电压VRRM(1N5817，1N5818，1N5819 ):20V，30V，40V
2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)
3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=1A
5.浪涌电流IF***=25A(T=10ms)
编辑：DD
在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
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