在数字IC设计流程中，前端设计工程师，根据SPEC，完成RTL实现之后，有一步非常重要的环节，就是综合，那么什么是综合呢？
综合是一种在众多结构、速度、功能已知的逻辑单元库的基础上，以满足时序、面积、逻辑网络结构为目标的从寄存器传输级（RTL）到门级的映射方案，它将行为级描述，映射成为了要求工艺库下的，标准门单元电路的拓扑连接。
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什么是芯片，芯片有什么作用
如果把**处理器CPU比喻为整个电脑系统的心脏，那么主板上的芯片组就是整个身体的躯干。对于主板而言，芯片组几乎决定了这块主板的功能，进而影响到整个电脑系统性能的发挥，数字ic设计的模块设计，芯片组是主板的。
芯片组(Chipset)是主板的核心组成部分，数字ic还是嵌入式，按照在主板上的排列位置的不同，通常分为北桥芯片和南桥芯片。北桥芯片提供对CPU的类型和主频、内存的类型和容量、ISA/PCI/AGP插槽、ECC纠错等支持。南桥芯片则提供对KBC(键盘控制器)、RTC(实时时钟控制器)、USB(通用串行总线)、Ultra DMA/33(66)EIDE数据传输方式和ACPI(能源管理)等的支持。其中北桥芯片起着主导性的作用，也称为主桥(Host Bridge)。
芯片组的识别也非常容易，以Intel 440BX芯片组为例，它的北桥芯片是Intel 82443BX芯片，通常在主板上靠近CPU插槽的位置，由于芯片的发热量较高，在这块芯片上装有散热片。南桥芯片在靠近ISA和PCI槽的位置，芯片的名称为Intel 82371EB。其他芯片组的排列位置基本相同。对于不同的芯片组，在性能上的表现也存在差距。
除了通用的南北桥结构外，目前芯片组正向更的加速集线架构发展，Intel的8xx系列芯片组就是这类芯片组的代表，它将一些子系统如IDE接口、音效、MODEM和USB直接接入主芯片，能够提供比PCI总线宽一倍的带宽，达到了266MB/s;此外，矽统科技的SiS635/SiS735也是这类芯片组的新军。除支持的DDR266，DDR200和PC133 SDRAM等规格外，还支持四倍速AGP显示卡接口及Fast Write功能、IDE ATA33/66/100，并内建了3D立体音效、高速数据传输功能包含56K数据通讯(Modem)、高速以太网络传输(Fast Ethernet)、1M/10M家庭网络(Home PNA)等。
EM (electron migration，电子迁移)
“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子，所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程，当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候，就会造成IC内部导线的断路与短路，而终使得IC报废。温度越高，香洲区数字ic，电子流动所产生的作用就越大，其彻底*坏IC内一条通路的时间就越少，即IC的寿命也就越短，燃气ic卡上显示的数字代表，这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。
NBTI 、HCI、TDDB
这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。
罪魁祸首 ： SiOHSiOH
MOSFET原理是一个门极(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度，电势高形成深沟道电流就大，电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门极导电底下的沟道也导电，那就必须中间有个绝缘介质把他们分开，否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够，工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差，必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH，问题由此产生。
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