片级芯片测试在IC制造工艺中已经成为不可或缺的一部分，发挥着重要的作用，而测试探卡在圆片级芯片测试过程中起着关键的信号通路的作用。分析指出由于芯片管脚密度的不断增加以及在高频电路中应用的需要，传统的组装式探卡将不能适应未来的测试要求;和传统探卡的组装方法相比，MEMS技术显然更适应当今的IC技术。综述了针对MEMS探卡不同的应用前景所提出的多种技术方案，特别介绍了传感技术****实验室为满足IC圆片级测试的要求，针对管脚线排布型待测器件的新型过孔互连式悬臂梁芯片和针对管脚面排布型待测器件的Ni探针阵列结构的设计和制造。
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CCD和CMOS的参数对比
1、坏点数
由于遭到制造工艺的限制，关于有几百万像素点的传感器而言，一切的像元都是好的情况几乎不太可能，坏点数是指芯片中坏点（不能有效成像的像元或相应不分歧性大于参数允许范围的像元）的数量，坏点数是权衡芯片质量的重要参数。
2、 光谱响应
光谱响应是指芯片关于不同光波长光线的响应才干，通常用光谱响应曲线给出。
从产品的技术展开趋向看，无论是CCD还是CMOS，其体积小型化及高像素化仍是业界积极研发的目的。由于像素尺寸小则图像产品的分辨率越高、明晰度越好、体积越小，其应用面更普遍。
1995 年，由美国麻省理工学院和日本东北大学的两个研究小组**发现，将两个磁性电极层之间用极薄的绝缘层分开会产生很大的磁电阻效应(室温下达到11%)。这种由磁性层/绝缘层/磁性层构成的结构，称为磁性隧道结(MTJ)。在MTJ 中，中间的绝缘层很薄(几个纳米)，使得可以有大量电子隧穿通过。通过隧道结的电流依赖于两个磁性层的磁化强度矢量的相对取向。这种隧穿电流随外磁场变化的效应被称为隧道磁电阻(TMR)效应。隧道磁电阻效应可以由Julliere 双电流模型解释。假定电子在隧穿过程中自旋不发生翻转，并且隧穿电流正比于费米面附近电子的态密度。当MTJ两侧铁磁层处于平行排列时，左侧的少子电子向右侧的少子空态隧穿，左侧的多子电子向右侧的多子空态隧穿，MTJ 处于低阻态；当MTJ两侧铁磁层处于反平行排列时，南雄光电传感器，左侧的少子电子向右侧的多子空态隧穿，而左侧的多子电子向右侧的少子空态隧穿，MTJ 呈现高阻态。
由于贴合TMR器件与超导磁放大器的低温胶过厚导致TMR—超导磁放大器间距过大(50 μm)，对射式光电传感器，使得TMR/超导复合式磁传感器的灵敏度、探测精度较GMR/超导复合式磁传感器、SQUID 等器件仍有明显差距。理论计算表明，减小TMR—超导磁放大器间距将使得磁场放大倍数呈指数形式上升；若能将TMR—超导磁放大器间距降低至0.5 μm以内，磁场放大倍数可接近1000 倍。今后可通过热压印等技术减小TMR—超导磁放大器间距，从而提高器件的灵敏度。
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