IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，大功率led驱动ic，工作频率可达20kHz。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，云城区led驱动ic，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
MOSFET几种典型驱动电路（二）
模拟电路
有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的，因为模拟电路设计重视的性能参数，高压led驱动ic，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热*坏（thermal runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代。
随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board，PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本**的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势，在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如类比/数位转换器（Analog-to-Digital Converter，ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。
良好的MOSFET驱动电路需要满足以下要求：
1、开关管开启瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流，使MOSFET栅源极之间的电压迅速上升到所需的值，白光led 驱动ic，以保证开关管能迅速开启，且无高频振荡沿上升方向。
2、开关导通期间的驱动电路能够保证MOSFET栅源间电压的稳定和可靠导通。
3、关断瞬时驱动电路为MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放提供了尽可能低的阻抗，保证了开关管的快速关断。
4、驱动电路结构简单可靠，损耗小。
5、视情况实行隔离。
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