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ASEMI工程师讲解雪崩问题解决方案
在IAS下不会烧毁的维持时间:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是说，肖特基二极管型号，SBD在出现雪崩之后IAS=100A时，可保证在5μs之内不会损坏器件。EAS是检验肖特基势垒可靠性的重要参量200V/100A的SBD在48V输出的通信***PS中可替代等额定值的FRED，使整流部分的损耗降低10%~15%。由于SBD的超快软**特性及其雪崩能量，宜春肖特基二极管，提高了系统工作频率和可靠性，EMI也得到显著的改善。
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MBR1045CT，其中的"C":表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的"P":表示TO-3P封装
元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：
MBRD10100CT:第四位的D，表示贴片DPAK封装
MBRB10100CT:第四位的B，表示贴片D2PAK封装
MBRF10100CT:第四位的F，表示TO-220全塑封
TO-252，贴片肖特基二极管，也就是贴片DPAK封装；TO-263，也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT，肖特基二极管的作用，型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。
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ASEMI整流肖特基二极管快资讯！
SiC高压SBD
由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/(cm·K)，抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。
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