




碳化硅在半导体范畴的使用
碳化硅一维纳米资料因为本身的微观描摹和晶体结构使其具有更多独特的优异功用和愈加广泛的使用远景,被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体资料的重要组成单元。
第三代半导体资料即宽禁带半导体资料,又称高温半导体资料,碳化硅制品,首要包含碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。这类资料具有宽的禁带宽度(禁带宽度大于2.2ev)、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射才能、高的电子饱和速率等特点,适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制造。第三代半导体资料凭借着其优异的特性,未来使用远景非常宽广。
与普通硅相比,碳化硅坩埚,采用碳化硅的元器件有什么不同?
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍,碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏,且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
在硅材料已经接近理论性能极限的今天,SiC功率器件因其高耐压、低损耗、等特性,一直被视为“理想器件”而备受期待。然而,相对于以往的Si材质器件,SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求,将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。
目前,低功耗的碳化硅器件已经从实验室进入了实用器件生产阶段。
碳化硅的应用范围有哪几种?
碳化硅主要有四大应用领域,即:功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应,不能算高新技术产品,而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。
⑴作为磨料,碳化硅,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。
⑵作为冶金脱氧剂和耐高温材料。
⑶高纯度的单晶,可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。
主要用途:用于3—12英寸单晶硅、多晶硅、钾、石英晶体等线切割。太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。
用于半导体、避雷针、电路元件、高温应用、紫外光侦检器、结构材料、天文、碟刹、离合器、柴油微粒滤清器、细丝高温计、陶瓷薄膜、裁切工具、加热元件、、珠宝、钢、护具、触媒担体等领域。
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