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碳化硅的搬运

为了更好地保护碳化硅的釉层，必须非常小心地搬运碳化硅坩埚，以避免敲击、碰撞或掉落，并且不得在地面上水平运输碳化硅。碳化硅坩埚釉层一旦损坏，将导致碳化硅在使用中氧化老化。碳化硅应由带衬垫的手推车(或其他合适的搬运工具)小心搬运。水分通常在75~100度时蒸发很快，所以在这个温度下温度必须缓慢上升;2小时后，碳化硅厂家，将碳化硅坩埚预热至150~200℃，保持1小时，然后每小时升温至150℃。由于碳化硅壁在315~650℃的温度范围内会发生快速氧化，氧化不仅会缩短碳化硅的寿命，还会由于热导率的降低而影响其使用性能，因此碳化硅不需要在该温度范围内停留太长时间。

碳化硅分离设备有什么？

1. 碳化硅硅平板膜装置，在尺寸相同的片状膜片，碳化硅板，采用橡胶挤压式密封，结构简单，碳化硅，密封可靠，使用寿命长，5年以上可以热力学再生，通量可以**到99.5%以上。

2. 碳化硅管式膜装置。用管状膜并以多孔管支撑，构成类似管壳式换热器的设备，碳化硅喷嘴，分内压式和外压式，各用多空管支撑于膜的外侧或内侧。内压式的膜面易冲洗，适用于微过滤和超过滤。

液膜分离所用的设备取决于液膜的类型。采用乳化液膜式，以通用的萃取设备为主，辅以制乳的混合装置和*乳的分离装置。采用支持液膜式，根据至此材料（微孔膜）的构型，采用板框式或管式膜结构。

碳化硅在半导体范畴的使用

碳化硅一维纳米资料因为本身的微观描摹和晶体结构使其具有更多独特的优异功用和愈加广泛的使用远景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体资料的重要组成单元。

第三代半导体资料即宽禁带半导体资料，又称高温半导体资料，首要包含碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。这类资料具有宽的禁带宽度（禁带宽度大于2.2ev）、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射才能、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制造。第三代半导体资料凭借着其优异的特性，未来使用远景非常宽广。