4.时钟树生成(CTS Clock tree synthesis) 。
芯片中的时钟网络要驱动电路中所有的时序单元，所以时钟源端门单元带载很多，其负载很大并且不平衡，需要插入缓冲器减小负载和平衡。时钟网络及其上的缓冲器构成了时钟树。一般要反复几次才可以做出一个比较理想的时钟树。---Clock skew.
5. STA 静态时序分析和后。
时钟树插入后，每个单元的位置都确定下来了，工具可以提出GlobalRoute形式的连线寄生参数，此时对参数的提取就比较准确了。SE把.V和.SDF文件传递给PrimeTime做静态时序分析。确认没有时序违规后，将这来两个文件传递给前端人员做后。对Astro 而言，在detail routing 之后，
用starRC XT 参数提取，生成的E.V和.SDF文件传递给PrimeTime做静态时序分析，那将会更准确。
6. ECO(Engineering Change Order)。
针对静态时序分析和后中出现的问题，对电路和单元布局进行小范围的改动.
7. Filler的插入(pad fliier， cell filler)。
Filler指的是标准单元库和I/O Pad库中定义的与逻辑无关的填充物，用来填充标准单元和标准单元之间，DDR存储器企业，I/O Pad和I/O Pad之间的间隙，它主要是把扩散层连接起来，满足DRC规则和设计需要。
8. 布线(Routing)。
Global route-- Track assign --Detail routing--Routing optimization布线是指在满足工艺规则和布线层数限制、线宽、线间距限制和各线网可靠绝缘的电性能约束的条件下，DDR存储器公司电话，根据电路的连接关系将各单元和I/OPad用互连线连接起来，这些是在时序驱动(Timing driven )的条件下进行的，保证关键时序路径上的连线长度能够。--Timing report clear
IC常见的问题
EM (electron migration，电子迁移)
“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子，所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程，当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候，就会造成IC内部导线的断路与短路，而终使得IC报废。温度越高，电子流动所产生的作用就越大，其彻底*坏IC内一条通路的时间就越少，即IC的寿命也就越短，这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。
NBTI 、HCI、TDDB
这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。
罪魁祸首 ： SiOHSiOH
MOSFET原理是一个门极(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度，电势高形成深沟道电流就大，电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门极导电底下的沟道也导电，那就必须中间有个绝缘介质把他们分开，否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够，工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差，DDR存储器，必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH，问题由此产生。
一、作用构造归类
集成电路芯片，又称之为IC，按其作用、构造的不一样，能够 分成模拟集成电路芯片、数据集成电路芯片和数/模混和集成电路芯片三大类。
二、加工工艺归类
集成电路芯片按加工工艺可分成半导体材料集成电路芯片和膜集成电路芯片。
三、导电性种类不一样
集成电路芯片按导电性种类可分成双极型集成电路芯片和单极型集成电路芯片，她们全是数据集成电路芯片。
双极型集成电路芯片的加工工艺繁杂，功能损耗很大，意味着集成电路芯片有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等种类。单极型集成电路芯片的加工工艺简易，DDR存储器厂，功能损耗也较低，便于做成规模性集成电路芯片，意味着集成电路芯片有CMOS、NMOS、PMOS等种类。
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