耐久性测试项目（Endurance test items ）Endurance cycling test， Data retention test①周期耐久性测试（Endurance Cycling Test ）
目的: 评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能
Test Method: 将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次
测试条件: 室温，或者更高，FLASH存储器品牌有哪些，每个数据的读写次数达到100k~1000k
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 1033
②数据保持力测试（Data Retention Test）
目的: 在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失
测试条件: 在高温条件下将数据写入memory 存储单元后，多次读取验证单元中的数据
失效机制：150℃
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：
MIT-STD-883E Method 1008.2
MIT-STD-883E Method 1033
在了解上述的IC测试方法之后，IC的设计制造商就需要根据不用IC产品的性能，用途以及需要测试的目的，选择合适的测试方法，的降低IC测试的时间和成本，从而有效控制IC产品的质量和可靠度。
IC半导体的基础知识(一)
一、物理基础 所有物质按照导电能力的差别可分为导体、半导体和绝缘体三类。半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。或者说，半导体是介于导体和绝缘体之间的物质。常用的半导体材料有：元素半导体硅(Si)和锗(Ge)、化合物半导体(GaAs)等。导体的电阻率在10-4Ω?cm以下，如铜的电阻率为1.67×10-6 Ω?cm，绝缘体的电阻率在1010 Ω?cm以上，半导体的电阻率在10-3Ω?cm～109Ω?cm之间，FLASH存储器哪家强，与导体的电阻率相比较，半导体的电阻率有以下特点。
1.对温度反映灵敏
导体的电阻率随温度的升高略有升高，如铜的电阻率仅增加0.4%左右，但半导体的电阻率则随温度的上升而急剧下降，如纯锗，温度从20℃上升到30℃时，电阻率降低一半左右。
2.杂质的影响显著
金属中含有少量杂质其电阻率不会发生显著变化，但是，极微量的杂质掺在半导体中，会引起电阻率的极大变化。如在纯硅中加入百万分之一的硼，FLASH存储器经销商，就可以使硅的电阻率从2.3×105 Ω?cm急剧减少到0.4 Ω?cm左右。
3.光照可以改变电阻率
例如，有些半导体(如)受到光照时，其导电能力会变得很强；当无光照时，又变得像绝缘体那样不导电，利用这种特性可以制成光敏元件。而金属的电阻率则不受光照的影响。
温度、杂质、光照对半导体电阻率的上述控制作用是制作各种半导体器件的物理基础。
数字电路高温老炼测试系统是一种用于数字电路老化筛选的**试验设备，它可实现在动态老炼过程中对器件进行功能测试。首先概括介绍了可靠性筛选试验、器件高温老炼原理和方法等基础知识，并在阐述数字电路动态功率老炼和在线功能测试基本原理的基础上，对该系统的硬件组成、工作原理、结构特征、技术指标等方面做了介绍。
将**放在系统软件的开发和设计上。对用户需求和软件设计要求分析后，首先根据系统功能对软件进行总体设计，确定了两个主功能模块：功率老炼模块、功能测试模块和三个辅助模块：工作电压控制模块、测试器件数据库管理模块、结果处理模块，并将主模块细分出若干子功能模块。然后结合设计语言——Delphi的特点，FLASH存储器，进一步详细论述了各功能模块的设计和软件实现，并给出相应的程序实现界面。 后总结了该系统软件的特点，并提出了软件进一步完善的方案。
