刻蚀技术
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刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
刻蚀工艺过程
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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离： 气体由等离子体分离为可化学反应的元素； 扩散： 这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后，大样片离子束刻蚀机多少钱， 四处移动； 反应： 与硅片表面的膜发生反应； 解吸： 反应的生成物解吸， 离开硅片表面； 排放： 排放出反应腔。
离子束刻蚀机的特点
刻蚀过程是纯物理溅射，可以刻蚀任何固体材料;平行离子束刻蚀，高各向异性;无钻蚀;精度高，大样片离子束刻蚀机，分辨率<0.01um.
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