氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质，氧化锌晶体单晶基片，氧化锌（ZnO）是重要的工业原料在塑料和橡胶添加剂丶传卮器丶发光显示器件等领域有广泛的应用。近几年人们发现氧化锌晶体在常温下存在柴外受激发射有可能实现固体案外和蓝光的激光发射，其独特的发光性能也引人们极大地关注。
氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，新疆氧化锌晶体，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。ZnO半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，氧化锌晶体单晶厂家，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。制备难度和诱人的应用前景使得氧化锌晶体的生长技术成为材料研究的热点。氧化锌晶体可控生长的关键是控制成核和生长过程，而试验中各工艺参数决定着成核和生长过程，控制了氧化锌晶体的尺寸。
氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：晶体结构：六方；晶格常数：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔点：1975℃；热膨胀系数：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；热 容：0.125 cal /g.m；热电常数：1200 mv/k @ 300 ℃；热 导：0.006 cal/cm/k。
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