良好的MOSFET驱动电路需要满足以下要求：
1、开关管开启瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流，使MOSFET栅源极之间的电压迅速上升到所需的值，以保证开关管能迅速开启，且无高频振荡沿上升方向。
2、开关导通期间的驱动电路能够保证MOSFET栅源间电压的稳定和可靠导通。
3、关断瞬时驱动电路为MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放提供了尽可能低的阻抗，保证了开关管的快速关断。
4、驱动电路结构简单可靠，损耗小。
5、视情况实行隔离。
集成驱动Ic
集成驱动 IC 在 15 mA 电流下的压降仅 105 mV，效能业界前头，为照明应用提供了更多的设计弹性。如此可提升整体效率，并提供所需的电压余度，补偿供应电压之中的 LED正向电压偏差及变动。BCR431U 能让照明设计增加更多 LED，例如用同一个 IC 驱动七个串联 LED，而不只是六个LED；或者，三星驱动ic厂家，也能用来增加 LED 灯条设计的整体长度，例如从 5米增加到 7 米。整体而言，LED 灯条越长，代表接电点越少，以及更少的安装工作。
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IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，驱动ic厂家， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），oled驱动ic厂家，称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，手机驱动ic厂家**，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
