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在容栅电子光学微影技术性中,光罩表层的挡光图样会与基钢板上的光阻层触碰磨擦,非常容易促使挡光图样损耗促使光罩使用期减少。另一个,当施胶光亮阻层的基钢板表层并不是十分整平时,光罩,光罩与光阻层会造成不确定性的间隙与间距,而导致光源的光学散射与绕射,从而导致曝i光的规格偏差,而且导致光阻层浅部一部分的侧面曝i光范畴扩张,因此没法制做出深奥长宽比的光阻构造。






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刻蚀或离子注入完成后,将进行光刻的后一步,即将光刻胶去除,以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常,半导体器件制造整个过程中,会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻,而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。

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什么是光刻掩模板
在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并,以便用于光致抗蚀剂涂层选择性**的一种结构,称为光刻掩模版。
半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺,在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。光刻工艺需要一整套(几块多至十几块)相互间能套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版。

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