氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。作为氧化锌单晶的培养方法，氧化锌晶体单晶衬底基片，已知有利用水热合成法的培养方法。水热合成法是 在高温高压的原料水溶液中培养晶体的方法，是利用由温差引起的过饱和度使晶体在晶种 上析出的方法。
氧化锌的热稳定性和热传导性较好，而且沸点高，氧化锌晶体价格，热膨胀系数低，在陶瓷材料领域有用武之地。在各种具有四面体结构的半导体材料中，石家庄氧化锌晶体，氧化锌有着高的压电张量。该特性使得氧化锌成为机械电耦合重要的材料之一。在室温下，氧化锌的能带隙约为3.3 eV，因此，纯净的氧化锌是无色透明的。高能带隙为氧化锌带来击穿电压高、维持电场能力强、电子噪声小、可承受功率高等优点。
氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构，闪锌矿结构(与金刚石类似，可看成氧原子FCC排列，4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列，锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构，氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。氧化锌（ZnO）与GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶体生长***理想的衬底材料。
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