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肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或（GaAs）。
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优点
肖特基二极管
肖特基二极管，SBT30100VFCT二极管，SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，MBR20100FCT二极管，以致于限制了其应用范围。
只有使用快速**外延二极管（FRED）和超快速**二极管（UFRD）。UFRD的反向**时间Trr也在20ns以上，二极管，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的***PS需要。
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半导体发展迅速的可以说是大家耳熟能详的美国，ASEMI半导体生产基地所在的地区就是被称为，MBR10200FCT二极管，那么真正的硅谷是在哪里呢？对了，就是美国，美国半导体的发展一直以为都是属于前茅，但是美国半导体的命名却比较混乱。同样也有五部分组成：
弟1部分：用符号表示器件用途的类型。
第2部分：用数字表示pn结数目。
第3部分：美国电子工业协会注册标志。
第4部分：美国电子工业协会登记顺序号。
第5部分：用字母表示器件分档。
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