改变正交表中的四个因素（煅烧时间、分散介质、锌铵比和煅烧温度），氧化锌的粒径和形貌不断变化，但晶型保持不变。四个因素（煅烧时间、分散介质、锌铵比和煅烧温度）对纳米氧化锌的粒径均有影响，其影响程度由大到小顺序为煅烧温度、分散介质、煅烧时间、锌铵比，氧化锌晶体单晶价格，且优方案确定为煅烧温度为300℃、分散介质为5mL无水乙醇、煅烧时间为1h、锌铵比为1:3。
氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，氧化锌晶体单晶批发，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比，湖南氧化锌晶体单晶， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，氧化锌晶体单晶衬底，可期待将其用作的发光器件材料。
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)等材料高很多，如此高的激子束缚能使它在室温下稳定，不易被激发(室温下热离化能为26meV)，降低了室温下的激1射阈值，提高了ZnO材料的激发效率。基于这些特点，ZnO材料既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。
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