氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，ZnO晶体基片公司，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，河南ZnO晶体，熔点为1975℃。目前，ZnO晶体基片哪家好，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。采用水热法，可以从KOH和LiOH混合水溶液中生长ZnO晶体。
氧化锌的热稳定性和热传导性较好，而且沸点高，ZnO晶体基片价格，热膨胀系数低，在陶瓷材料领域有用武之地。在各种具有四面体结构的半导体材料中，氧化锌有着高的压电张量。该特性使得氧化锌成为机械电耦合重要的材料之一。在室温下，氧化锌的能带隙约为3.3 eV，因此，纯净的氧化锌是无色透明的。高能带隙为氧化锌带来击穿电压高、维持电场能力强、电子噪声小、可承受功率高等优点。
氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底；表面粗糙度：Surface roughness(Ra):<=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光：单面或双面；包装：100 级洁净袋，1000 级超净室。
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