中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术介绍
很多人不知道，磁控溅射真空镀膜机镀膜技术也分类型的，镀的产品不一样，使用的磁控溅射技术也是有差别，今天至成真空小编为大将讲解一下中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术，希望能帮到大家。
中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术分靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。
用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。这是因为靶（阴极），等离子体，和被溅零件真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容。这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入Ar气和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。
真空镀膜设备离子镀膜上的创新方法
真空镀膜设备多弧离子镀膜上的创新方法，所谓多弧离子镀膜就是置待镀材料和被镀基板于室内，真空镀膜机多弧离子镀膜采用一定方法加热待镀材料，使之蒸发或升华，并飞行溅射到被镀基板表面凝聚成膜的工艺。
多弧离子镀膜的方法，在条件下成膜有很多优点，可减少蒸发材料的原子、分子在飞向基板过程中于分子的碰撞，减少气体中的活性分子和蒸发源材料间的化学反应（如氧化等），以及减少成膜过程中气体分子进入薄膜中成为杂质的量，从而提供膜层的致密度、纯度、沉积速率和与基板的附着力。
真空镀膜设备多弧离子镀膜工艺不仅避免了传统表面处理的不足，且各项技术指标都优于传统工艺，在五金、机械、化工、模具、电子、仪器等领域有广泛应用。催化液和传统处理工艺相比，在技术上有哪些创新？
1、多弧离子镀膜不用电、降低了成本、成本仅为多弧离子镀膜镍的二分之一，真空镀膜机多弧离子镀膜铬的三分之一，不锈钢的四分之一，可反复利用，大大降低了成本。
2、多弧离子镀膜易操作、工艺简单、把金属基件浸入兑好的液体中“一泡即成”，需要再加工时不经任何处理。
至成镀膜机多靶离子束溅射镀膜机
至成镀膜机多靶离子束溅射镀膜机是研究超导、类金刚石、光学、磁性等高质量薄膜和材料表面改性的光机一体化的现代化镀膜设备。该机采用四靶、双离子源、离子源为考夫曼源。其原理是利用具有1500ev能量的正离子束或中性粒子轰击靶材料，使材料表面的原子和分子从母材中溅射出来，沉积在基片上成膜。可镀制任意材料，包括金属、合金、超导体、半导体、绝缘体等。该机采用80年代刚刚发展起来的离子束溅射技术，利用双离子源、主枪，对靶材轰击，辅枪在镀前对基片进行清洗，增强基片的活性，提高结合力及纯度。沉积过程中低能轰击膜，增强沉积原子表面扩散和迁移，减少薄膜结晶结的缺陷，并配有对基片处理的各种功能，如加热、冷却、旋转、激光处理、掩膜等。引出栅φ25mm离子能量，1500ev能量束流大于80mA。
