典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。Ⅰ Ⅱ ⅢRegion (I) 被称为早夭期（Infancy period）
这个阶段产品的 failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷；Region (II) 被称为使用期（Useful life period）在这个阶段产品的failure rate保持稳定，数字ic 后端，失效的原因往往是随机的，比如温度变化等等；u Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）在这个阶段failure rate 会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。认识了典型IC产品的生命周期，我们就可以看到，Reliability的问题就是要力图将处于早夭期failure的产品去除并估算其良率，预计产品的使用期，并且找到failure的原因，尤其是在IC生产，封装，存储等方面出现的问题所造成的失效原因。下面就是一些 IC 产品可靠性等级测试项目（IC Product Level reliability testitems ）
一、使用寿命测试项目（Life test items）：EFR， OLT (HTOL)， LTOL①EFR:早期失效等级测试（ Early fail Rate Test ）目的: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。测试条件: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效。
数字IC验证综合知识
接口的强大功能：一是简化模块之间的连接；二是实现类和模块之间的通信。可以说接口的功能固然强大，但是问题又来了：
首先，因为事务交易处理器中的方法采用了层次化应用的方式去访问对应端口的信号，所以我们只能为两个相同功能的接口分别编写两个几乎一样的事务交易处理器，为什么呢？因为采用的是层次化的应用，假如设计中的某个引脚名字需要修改，我们只能修改驱动这个端口的方法！这样还是有点繁琐，那么sv中有了虚接口的概念，事情就会变得更加简单了！
到底是如何操作的呢？
虚接口和对应的通用方法可以把设计和验证平台分隔开来，保证其不受设计改动的影响。当我们对一个设计的引脚名字进行改动的时候，我们无须改动驱动这个接口的方法，而是只需要在例化该事务交易处理器的时候，给虚接口绑定对应连接的实体接口即可。以此来实现事务交易处理器的更大重用性。
虚接口的定义：
virtual interface_type variable;
虚接口可以定义为类的一个成员，可以通过构造函数的参数或者过程进行初始化。
虚接口应用的具体步骤：
到此，我们就可以在事务交易处理器中，编写针对该接口的通用方法（如request和wait_for_bus），数字ic杭州，只要针对虚接口进行操作就可以，而该虚接口不针对特定的具体器件，只有在事务交易处理器的对象例化创建时，根据具体传递给他参数确定。
杂质半导体 在本征半导体中，如果掺入微量的杂质(某些特殊元素)，将使掺杂后的半导体(杂质半导体)的导电能力显著改变。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为电子型半导体(N型)和空穴型半导体(P型)两大类。
1.N型半导体
若在纯净的硅晶体中掺入微量的五价元素(如磷)，这样，硅原子占有的某些位置会被掺入的微量元素(如磷)原子所取代。而整个晶体结构基本不变。磷原子与硅原子组成共价键结构只需四个价电子，数字ic原理，而磷原子的外层有五个价电子，多余的那个价电子不受共价键束缚，只需获得很少的能量就能成为自由电子。由此可见，掺入一个五价元素的原子，就能提供一个自由电子。必须注意的是，产生自由电子的同时并没有产生空穴，但由于热运动原有的晶体仍会产生少量的电子空穴对。所以，只要在本征半导体中掺入微量的五价元素，就可以得到大量的自由电子，且自由电子数目远比掺杂前的电子空穴对数目要多得多。
这种以自由电子导电为主要导电方式的杂质半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。N型半导体中存在着大量的自由电子，这就提高了电子与空穴的复合机会，相同温度下空穴的数目比掺杂前要少。所以，在N型半导体中，电子是多数载流子(简称多子)，空穴是少数载流子(简称少子)。N型半导体主要靠自由电子导电，数字ic，掺入的杂质浓度越高，自由电子数目越大，导电能力也就越强。
在N型半导体中，一个杂质原子提供一个自由电子，当杂质原子失去一个电子后，就变为固定在晶格中不能移动的正离子，但它不是载流子。因此，N型半导体就可用正离子和与之数量相等的自由电子去表示。
