氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，ZnO晶体基片价格，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。氧化锌的热稳定性和热传导性较好，而且沸点高，ZnO晶体价格，热膨胀系数低，在陶瓷材料领域有用武之地。
在各种具有四面体结构的半导体材料中，重庆ZnO晶体，氧化锌有着高的压电张量。该特性使得氧化锌成为机械电耦合重要的材料之一。改变正交表中的四个因素（煅烧时间、分散介质、锌铵比和煅烧温度），氧化锌的粒径和形貌不断变化，但晶型保持不变。助熔剂法是利用助熔剂使晶体形成温度较低的饱和熔体，通过缓慢冷却或在恒定温度下通过蒸发熔剂，使熔体过饱和而结晶的方法。
氧化锌（ZnO）晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构，以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。 氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)。
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