在室温下，石家庄ZnO晶体，氧化锌的能带隙约为3.3 eV，因此，纯净的氧化锌是无色透明的。高能带隙为氧化锌带来击穿电压高、维持电场能力强、电子噪声小、可承受功率高等优点。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系，纤锌矿结构，点群为6mm，znO晶体中，Z离子和O离子沿c轴交替堆积，氧化锌（ZnO）单晶具有极性。氧化锌的能带隙和激子束缚能较大，ZnO晶体基片哪家好，透明度高，有优异的常温发光性能，在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用。
氧化锌（ZnO）晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构，ZnO晶体价格，以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。 氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，ZnO晶体基片价格，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)。
通过特殊条件下不同方法制备氧化锌晶体的生长机理及其添加剂的作用机理研究，实现了氧化锌晶体的大小、形貌在一定范围内的可控制备。助熔剂法是利用助熔剂使晶体形成温度较低的饱和熔体，通过缓慢冷却或在恒定温度下通过蒸发熔剂，使熔体过饱和而结晶的方法。氧化锌晶体可控生长的关键是控制成核和生长过程，而试验中各工艺参数决定着成核和生长过程，控制了氧化锌晶体的尺寸。
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