当前生长氧化锌体单晶的方法主要有助熔剂法、水热法、气象沉积法、坩锅下降法等等。通过特殊条件下不同方法制备氧化锌晶体的生长机理及其添加剂的作用机理研究，实现了氧化锌晶体的大小、形貌在一定范围内的可控制备。大尺寸氧化锌晶体的形态可控生长的关键是控制成核和生长过程。晶核的结晶形态决定着晶体的形态，生长过程的环境条件也影响着晶体的生长过程。
ZnO半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，ZnO晶体基片价格，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。在各种具有四面体结构的半导体材料中，氧化锌有着高的压电张量。该特性使得氧化锌成为机械电耦合重要的材料之一。氧化锌也被用于混凝土生产，因为它帮助提高混凝土耐水性和改善需要的加工时间。这种无机化合物另外一个重要用途是作为烟过滤剂。
氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，氧化锌ZnO晶体，也是移动通讯基片材料和闪烁材料。以氯化锌和NaoH为原料，ZnO晶体，在水热条件下成功制备出梭状、片状和棒状的纳米级氧化锌晶体，确定了适宜的反应条件，实现了纳米氧化锌形貌的可控制备；制备出具有良好红外吸收特性的铁元素和钴元素掺杂的纳米级片状氧化锌晶体。大尺寸氧化锌晶体的形态可控生长的关键是控制成核和生长过程。晶核的结晶形态决定着晶体的形态，生长过程的环境条件也影响着晶体的生长过程。
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