当前生长氧化锌体单晶的方法主要有助熔剂法、水热法、气象沉积法、坩锅下降法等等。在室温下，氧化锌的能带隙约为3.3 eV，因此，纯净的氧化锌是无色透明的。高能带隙为氧化锌带来击穿电压高、维持电场能力强、电子噪声小、可承受功率高等优点。采用升华法生长氧化锌晶体装置，加热速度快，生长室容易达到高真空，可通过改变工艺条件实现对氧化锌晶体尺寸，生长速度的控制，可获得高质量大尺寸氧化锌晶体。
通过大尺寸氧化锌晶体的照片研究表明，晶体像一根长针，ZnO晶体基片哪家好，说明晶体沿一个方向生长，从XRD看出，(000ι)为主要生长方向，这与通常报道的氧化锌具有沿+c轴取向生长的机理相同。当前生长氧化锌体单晶的方法主要有助熔剂法、水热法、气象沉积法、坩锅下降法等等。氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是移动通讯基片材料和闪烁材料。
氧化锌晶体可控生长的关键是控制成核和生长过程，而试验中各工艺参数决定着成核和生长过程，控制了氧化锌晶体的尺寸。在氧化时间为90min，空气流量为0.31/min，氮气流量为0.31/min，ZnO晶体厂家，锌挥发温度为900℃，晶体反应器温度为1150℃时，我们制备出大尺寸的氧化锌晶体，长度达到30mm，ZnO晶体基片价格，直径达到1mm，实现了氧化锌晶体尺寸的可控生长。ZnO是一种典型的宽带隙半导体材料，ZnO晶体，高质量ZnO晶体的生长具有非常重要的研究意义。目前，ZnO晶体的生长方法主要有气相法，水热法和助熔剂法。
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