氧化锌晶体可控生长的关键是控制成核和生长过程，而试验中各工艺参数决定着成核和生长过程，控制了氧化锌晶体的尺寸。在氧化时间为90min，空气流量为0.31/min，氮气流量为0.31/min，锌挥发温度为900℃，晶体反应器温度为1150℃时，我们制备出大尺寸的氧化锌晶体，长度达到30mm，直径达到1mm，实现了氧化锌晶体尺寸的可控生长。ZnO是一种典型的宽带隙半导体材料，高质量ZnO晶体的生长具有非常重要的研究意义。目前，ZnO晶体的生长方法主要有气相法，水热法和助熔剂法。
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)。大尺寸氧化锌晶体的形态可控生长的关键是控制成核和生长过程。晶核的结晶形态决定着晶体的形态，氧化锌晶体单晶批发，生长过程的环境条件也影响着晶体的生长过程。ZnO是一种典型的宽带隙半导体材料，氧化锌晶体供应商，高质量ZnO晶体的生长具有非常重要的研究意义。目前，ZnO晶体的生长方法主要有气相法，水热法和助熔剂法。
ZnO半导体室温带隙为3.37eV，氧化锌晶体批发，且束缚激子能高达60MeV，江苏氧化锌晶体，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。在各种具有四面体结构的半导体材料中，氧化锌有着高的压电张量。该特性使得氧化锌成为机械电耦合重要的材料之一。氧化锌也被用于混凝土生产，因为它帮助提高混凝土耐水性和改善需要的加工时间。这种无机化合物另外一个重要用途是作为烟过滤剂。
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