氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)。大尺寸氧化锌晶体的形态可控生长的关键是控制成核和生长过程。晶核的结晶形态决定着晶体的形态，生长过程的环境条件也影响着晶体的生长过程。ZnO是一种典型的宽带隙半导体材料，高质量ZnO晶体的生长具有非常重要的研究意义。目前，ZnO晶体的生长方法主要有气相法，水热法和助熔剂法。
通过大尺寸氧化锌晶体的照片研究表明，晶体像一根长针，说明晶体沿一个方向生长，从XRD看出，ZnO晶体多少钱，(000ι)为主要生长方向，这与通常报道的氧化锌具有沿+c轴取向生长的机理相同。当前生长氧化锌体单晶的方法主要有助熔剂法、水热法、气象沉积法、坩锅下降法等等。氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是移动通讯基片材料和闪烁材料。
氧化锌的能带隙和激子束缚能较大，透明度高，有优异的常温发光性能，在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用。改变正交表中的四个因素（煅烧时间、分散介质、锌铵比和煅烧温度），氧化锌的粒径和形貌不断变化，但晶型保持不变。ZnO半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。
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