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晶圆级封装的设计意图

晶圆级封装的设计意图是通过降低芯片制造成本，用来实现引脚数量少且性能出色的芯片。晶圆级封装方案都是直接将裸片直接焊接在主板上。徕森较为关心的是这种新封装技术的特异性，封装测试厂商，以及常见的热机械失效等相关问题，并提出相应的控制方案和改进方法。晶圆级封装技术虽然有优势，但是存在特殊的热机械失效问题。

在TSOP封装方式中，内存颗粒是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会有很大的信号干扰和电磁干扰。WLCSP此封装不同于传统的先切割晶圆，再组装测试的做法，而是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割。几年之前封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水平，封装测试价格，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的封装。

半导体封装经历了三次重大革新：次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，封装测试代理商，满足了市场对高引脚的需求，黄山封装测试，改善了半导体器件的性能；芯片级封装、系统封装等是第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到。开发应用为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存和逻辑器件。CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百多。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置。引脚从封装主体两侧引出向下呈J字形，直接粘着在印刷电路板的表面，通常为塑料制品，多数用于DRAM和SRAM等内存LSI电路，但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM器件很多都装配在SIMM上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20至40不等。