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什么是增强型MOS管？
增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，由上图可以看出，25N120场效应管，栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。因此，容易理解，6N65场效应管，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，10N60_场效应管，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。
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如何区分MOS管的源极和漏极？
MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，场效应管，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET
型号：24N50
封装：TO-247/3P
漏极电流（VDS）：24A
漏源电压（ID）：500V
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管
品牌：ASEMI
场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
10N60场效应管-场效应管-ASEMI 由强元芯电子（广东）有限公司提供。行路致远，砥砺前行。强元芯电子（广东）有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为二极管具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!同时本公司还是从事三相整流桥，深圳三相整流桥，深圳三相整流桥整流模块的厂家，欢迎来电咨询。
