90N10场效应管-场效应管-ASEMI (查看)

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MOS管（MOSFET）的发热情况：

1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，10N60_场效应管，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，90N10场效应管，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。

2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

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ASEMI原装 20N10 插件MOSFET（场效应管）

型号：20N10

封装：TO-220AB

漏极电流（VDS）：20A

漏源电压（ID）：100V

工作温度：-55℃~150℃

封装形式：插件

种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管

品牌：ASEMI

首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。

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如何区分MOS管的源极和漏极？

MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，场效应管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。