90N10品质MOS管-品质MOS管-ASEMI(查看)

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MOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，9N90品质MOS管，一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，6N65品质MOS管，RON的数值在几百欧以内

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ASEMI品牌 MOS管 SYM601 600V MOSFET

型号：SYM601

封装：SOT-89

漏极电流（VDS）：1A

漏源电压（ID）：600V

工作温度：-55℃~150℃

封装形式：贴片

种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管

品牌：ASEMI

MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。

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MOSFET（场效应管）的主要参数：

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0(增强型)的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面:

(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿

(2)漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，品质MOS管，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，90N10品质MOS管，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID