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什么是增强型MOS管？
增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，由上图可以看出，栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。因此，品质mos管，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，6N65品质mos管，电场强到一定程度之后，9N90品质mos管，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，24N50_品质mos管，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。
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MOS管如何工作在放大区？
MOS管也能工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用MOS管工作在放大区，由于mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离，因此其输入阻抗可视为无穷大，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管的。
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ASEMI原装 20N10 插件MOSFET（场效应管）
型号：20N10
封装：TO-220AB
漏极电流（VDS）：20A
漏源电压（ID）：100V
工作温度：-55℃~150℃
封装形式：插件
种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管
品牌：ASEMI
首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。
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