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MOSFET（场效应管）的主要参数：
4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，场效应晶体管，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
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MOS管（MOSFET）的工作原理之发热分析：
做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，6N65场效应晶体管，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，24N50场效应晶体管，MOS管的开关速度应该比三极管快
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如何区分MOS管的源极和漏极？
MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，10N60场效应晶体管，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
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