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如何区分MOS管的源极和漏极？
MOS管结构示意图中，品质mos管，我们可以看出左右是对称的，6N65品质mos管，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，10N60品质mos管，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
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ASEMI品牌 25N120 MOS场效应晶体管 插件封装 MOSFET
型号：25N120
封装：TO-247/3P
漏极电流（VDS）：25A
漏源电压（ID）：1200V
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管/MOSFET
品牌：ASEMI
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET
型号：24N50
封装：TO-247/3P
漏极电流（VDS）：24A
漏源电压（ID）：500V
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管
品牌：ASEMI
场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
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