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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET
型号：24N50
封装：TO-247/3P
漏极电流（VDS）：24A
漏源电压（ID）：500V
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管
品牌：ASEMI
场效应管(FET)，24N50_品质mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
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ASEMI低压MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V
型号：A29T / 3402
封装：SOT-23
漏极电流（VDS）：4A
漏源电压（ID）：30V
工作温度：-55℃~150℃
封装形式：贴片
种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管）
品牌：ASEMI
晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，25N120品质mos管，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
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MOSFET（场效应管）的主要参数：
3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0(增强型)的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面:
(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿
(2)漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，品质mos管，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，90N10品质mos管，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
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