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MOSFET（场效应管）的主要参数：
4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
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MOS管的金属氧化物是什么？
MOS管结构示意图中标出的金属氧化物膜位于上边部位，25N120品质mos管，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，10N60品质mos管，不能通过直流电，品质mos管，因此是用电压控制的。在直流电气上，6N65品质mos管，栅极和源漏极是断路。不难理解，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅极电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。
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ASEMI原装 20N10 插件MOSFET（场效应管）
型号：20N10
封装：TO-220AB
漏极电流（VDS）：20A
漏源电压（ID）：100V
工作温度：-55℃~150℃
封装形式：插件
种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管
品牌：ASEMI
首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。
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