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MOS管的金属氧化物是什么？
MOS管结构示意图中标出的金属氧化物膜位于上边部位，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，场效应晶体管，栅极和源漏极是断路。不难理解，90N10场效应晶体管，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅极电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。
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MOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：
7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1~3pF，CDS约在0.1~1pF之间
8. 低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，6N65场效应晶体管，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝(dB)。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，9N90场效应晶体管，它比双极性三极管的要小
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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET
型号：24N50
封装：TO-247/3P
漏极电流（VDS）：24A
漏源电压（ID）：500V
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管
品牌：ASEMI
场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
ASEMI(图)-6N65场效应晶体管-场效应晶体管由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司为客户提供“整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快***二极管”等业务，公司拥有“ASEMI,MHCHXM”等品牌，专注于二极管等行业。，在深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：李绚。同时本公司还是从事三相整流桥，深圳三相整流桥，深圳三相整流桥整流模块的厂家，欢迎来电咨询。
