至成镀膜机多靶离子束溅射镀膜机
至成镀膜机多靶离子束溅射镀膜机是研究超导、类金刚石、光学、磁性等高质量薄膜和材料表面改性的光机一体化的现代化镀膜设备。该机采用四靶、双离子源、离子源为考夫曼源。其原理是利用具有1500ev能量的正离子束或中性粒子轰击靶材料，使材料表面的原子和分子从母材中溅射出来，沉积在基片上成膜。可镀制任意材料，包括金属、合金、超导体、半导体、绝缘体等。该机采用80年代刚刚发展起来的离子束溅射技术，利用双离子源、主，对靶材轰击，辅在镀前对基片进行清洗，增强基片的活性，提高结合力及纯度。沉积过程中低能轰击膜，增强沉积原子表面扩散和迁移，减少薄膜结晶结的缺陷，并配有对基片处理的各种功能，如加热、冷却、旋转、激光处理、掩膜等。引出栅φ25mm离子能量，1500ev能量束流大于80mA。
多弧离子PVD镀膜设备镀工艺及应用
离子镀基本工艺流程
①工件的预热．
一般的离子镀方法使用烘烤加热装置对工件进行加热，而热阴极离子镀则是利用等离子电子束轰击工件；电弧离子镀是利用金属离子轰击工件，对工件加热，达到预热的目的，有时电弧离子镀也采用辅助烘烤加热装置对工件进行预热。
②离子轰击溅射清洗．
一般离子镀的离子轰击溅射清洗是基片施加负偏压，利用辉光放电产生的Ar离子轰击基片，对基片进行离子轰击溅射清洗，而热阴极离子镀是利用等离子电子束轰击辅助阳级，Ar离子轰击基片进行离子轰击溅射清洗；电弧离子镀是利用金属离子轰击工件，对工件加热的同时对工件进行离子轰击溅射清洗。
③离子沉积.
不同的离子镀方法在离子沉积时，所使用的源和离化方法不同，具体的设备不同，沉积的膜层不同，其工艺程序和工艺参数也不同，因此，应根据具体情况确定沉积的工艺程序和工艺参数，还应注意在整个沉积过程中保持工艺参数的稳定。
中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术介绍
很多人不知道，磁控溅射真空镀膜机镀膜技术也分类型的，镀的产品不一样，使用的磁控溅射技术也是有差别，今天至成真空小编为大将讲解一下中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术，希望能帮到大家。
中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术分靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。
用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。这是因为靶（阴极），等离子体，和被溅零件真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容。这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入Ar气和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。
