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ASEMI品牌 25N120 MOS场效应晶体管 插件封装 MOSFET
型号：25N120
封装：TO-247/3P
漏极电流（VDS）：25A
漏源电压（ID）：1200V
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管/MOSFET
品牌：ASEMI
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，25N120插件封装MOS管，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
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如何区分MOS管的源极和漏极？
MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，插件封装MOS管，封装也就固定了，便于实用。
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MOS管如何工作在放大区？
MOS管也能工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用MOS管工作在放大区，由于mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离，6N65插件封装MOS管，因此其输入阻抗可视为无穷大，90N10插件封装MOS管，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管的。
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