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MOSFET（场效应管）的主要参数：
4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，原装现货供应，是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
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绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，9N90_原装现货供应，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多，6N60原装现货供应，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。
与结型场效应管相同，MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类，10N60原装现货供应，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型为：
N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、
P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。
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MOSFET（场效应管）的主要参数：
1.开启电压VT
·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
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