9N90原装现货供应-ASEMI-原装现货供应

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MOSFET（场效应管）的主要参数：

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0(增强型)的条件下 ，6N60原装现货供应，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面:

(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿

(2)漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，24N50原装现货供应，源区中的多数载流子，原装现货供应，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

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MOSFET（场效应管）的主要参数：

1.开启电压VT

·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;

·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

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ASEMI品牌 TO-220 MOS场效应晶体管 100N10

型号：100N10

封装：TO-220AB

漏极电流（VDS）：100A

漏源电压（ID）：100V

工作温度：-55℃~150℃

封装类型：插件

种类：场效应晶体管/MOSFET

品牌：ASEMI

场效应管通过投影P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。