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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET
型号：24N50
封装：TO-247/3P
漏极电流（VDS）：24A
漏源电压（ID）：500V
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管
品牌：ASEMI
场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导，6N60原装现货供应， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
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ASEMI品牌 MOS场效应管 9N90 插件封装类型 9A 900V
型号：9N90
封装：TO-220AB
漏极电流（VDS）：9A
漏源电压（ID）：900V
工作温度：-55℃~150℃
种类：N沟道增强型场效应管
品牌：ASEMI
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。
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MOS管（MOSFET）的发热情况：
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，原装现货供应，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，10N60原装现货供应，压降增大，所以U*I也增大，90N10原装现货供应，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
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