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MOS管（MOSFET）的发热情况：
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，9N90_原装现货供应，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误，原装现货供应，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，25N120原装现货供应，导致开关阻抗增大。
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MOSFET（场效应管）的主要参数：
1.开启电压VT
·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
·标准的N沟道MOS管，6N65原装现货供应，VT约为3~6V;·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
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ASEMI低压MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V
型号：A29T / 3402
封装：SOT-23
漏极电流（VDS）：4A
漏源电压（ID）：30V
工作温度：-55℃~150℃
封装形式：贴片
种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管）
品牌：ASEMI
晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
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