脱脂清洗-抚州清洗-锅炉清洗蓝星设备清洗(查看)

煮炉清洗工艺

1. 新建锅炉的除油钝化先用自来水对锅炉停止一次预冲刷。经过充水与排水铲除坠落的污垢，然后用软化水配成的含Na0I-I、Na3P04各2～3g／L的煮炉清洗液，注入锅炉至汽包中心水位，锅炉，熄灭升温至o·8MPa坚持8—10h。从下联箱排污阀将煮炉清洗液放净，再补偿上述的清洗液至汽包中心水位，加热升压至1~1.5MPa，坚持8～10h，然后将清洗液排净。再次补偿上述的清洗液至汽包中心方位，加热升压至2~2.5／VlPa，坚持8~10h。经过三期煮炉处置，即可抵达除油垢和健全钝化膜的企图。

2. 结垢锅炉的煮炉除垢 关于结垢的锅炉，要依据垢的详细状况制造不同的清洗液。对碳酸盐垢用2～3g／L

NaOH、20~30/LNa3P04组成的清洗液煮炉；硅酸盐垢用10～20g／L NaOH和5~10 g／L

Na3P04组成的清洗液煮炉；***钙垢用10~20g／L Na2CO，和5～10 g／L

Na3P04组成的清洗液煮炉。以上均为以垢厚3ram的参考用药量，理论运用时应依据垢的理论厚度恰当增减。对锅炉停止水冲刷后，用清洗液注人锅炉至水位和中心水位之间的高度，抚州清洗，熄灭加热升压至锅炉额定压力的50％，坚持10h，而且每隔2h在各下联箱底部排污1rain。结束次煮炉后，补偿相同的药剂至相同液位高度，加热升压至锅炉额定压力的75％，坚持10h，并每隔2h排污一次。完毕煮炉后熄火排污，终用水冲刷锅炉。

化学清洗技术在火电厂输灰管道内壁清洗中的应用及发展

目前，我国火电厂普遍采用水力输灰方式进行输灰。在运行过程中管道内壁易产生坚硬的灰垢，随着时间的推移，垢层逐渐增厚，致使灰水管道流通面积减少，管内灰水流动阻力增大，能耗增加，直接影响机组的安全运行。为了安全、稳定、长周期、满负荷、低能耗地运转，需要对灰水管道及时进行清洗。对于灰水管道中灰垢的清洗技术，国内外都进行了许多研究。在我国采用的有化学清洗、高压水射流清洗、PIG（清管器）清洗等，化学清洗是应用至广的清洗技术。

1、输灰管道结垢原理

输灰管道中的灰垢是干（湿）灰和水在输送过程中发生化学反应产生的沉积物，酸洗钝化，其垢质坚硬，呈***，一般按水流方向呈层叠分布。煤粉中的碳酸钙经高温作用转化为氧化钙，部分氧化钙混杂于玻璃体内或以***钙形式存在，部分以游离氧化钙存在。在输灰过程中，游离的氧化钙不停溶解于水中，使灰水中的Ca2+和PH值不断升高，OH－的增加使HCO－转化为CO32－，当灰水中的Ca2+和CO32－浓度超过一定饱和度时，氧气设备清洗，碳酸钙便结晶析出，沉积在输灰管道内壁上形成灰垢。因此，输灰管道中灰垢的主要成分为碳酸钙。

影响输灰管道结垢的因素是煤灰中钙的含量、冲灰水的PH值、硬度和冲灰水量等。煤灰中钙的含量越高，结垢速度越快；冲灰水的硬度越高，水量越小，结垢倾向越大；冲灰水在碱性条件下，易结垢。

化学清洗和安全知识

1 化学清洗

在半导体器件工艺实验中。化学清洗是指去除吸附在半导体、金属材料和器具表面的各种***杂质或油渍。清洗方法是利用各种化学***和有机助熔剂，使吸附在被清洗物体表面的杂质和油类发生化学反应溶解，或辅以超声波、加热、真空等物理措施，将杂质除去。从要清洁的物体。表面解吸（或解吸），脱脂清洗，然后用大量高纯冷热去离子水冲洗，得到干净的表面。

1.1 化学清洗的重要性

工艺实验中的每个实验都有化学清洗的问题。化学清洗的质量对实验结果有严重影响。如果过程处理不当，将得不到实验结果或实验结果很差。因此，了解化学清洗的作用和原理对工艺实验具有重要意义。众所周知，半导体的重要特性之一是对杂质非常敏感。只要有百万分之一甚至少量的杂质，就会对半导体的物理性能产生影响。方法。各种功能半导体器件的制造。但也正是因为这个特点，给半导体器件的工艺实验带来了麻烦和困难。用于清洁的化学***、生产工具和水可能成为***杂质的来源。即使是干净的半导体晶圆更长时间暴露在空气中也会引入明显的污染物。化学清洗是去除***杂质，保持硅片表面清洁。