电磁压力传感器
压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。
在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、铟InAs)、锗(Ge)、GaAs)及多层半导体质结构材料。
压力传感器的特点
溅射薄膜压力传感器：突出特点是受温度影响小，在温度变化100℃时，零点漂移仅为0.5%，VP200-14T-6250000传感器，其温度性能远优于扩散硅，能够在恶劣环境条件下使用等特点。
应变式压力传感器：应用为广泛的是应变式压力传感器，它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高、横向效应小等优点。
陶瓷压阻压力传感器：具有测量的高精度、高稳定性。电器绝缘程度大于2KV，输出信号强，长期稳定性好。，微量程和大量程不做选择，只适用于表压测量。
压力传感器在物联网的应用带来的启发
压力传感器的其中一个改变就是小型化，原来的压力传感器很大。传统的传感器缺点就是重量重、体积大。其优点则为有多种介质，包括夹板安装等都已经形成工业标准，同时还可以增加机械保护，如果硅芯片自身过压能力不好，可以通过增加保护膜片来增加过压保护能力。所以我们想是不是可以把这么大的东西搞得越小越好。
首先由于在物联网或工业物联网的应用上没有人再通过查看表头来查看信息了，所有信息都会发送到系统中，这就使得LCD、点阵等表头显示不再有意义。在数字化输出中，例如有485、LoRa、无线等形式输出，距离比较近的可以用ZigBee，距离比较远的可以用LoRa来实现。
然后物联网环境中介质一般比较单一，没有那么多复杂和带有腐蚀性的介质，因而可以不用做两个大的夹板溶池，也不需要大的清洗和排液系统，可以通过在传感器的两侧做两个排液孔实现排液，从而进一步降低传感器的成本和体积。
再次不再需要保护膜片。芯片有一个很大的特点就是单边过压，另外，在物联网应用场景中的小型化场合中不需要太大的耐压能力，因而可以省掉中心保护工艺，再小型化，这样成本也没有增加。
必须要有自补偿，对于差压来说，我们还是希望它可以适应各种温度的变化，特别是硅传感器，温度变化很重要。
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