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也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。
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被国际同行公认为“北京组”工作，得到国际上实验和理论主要的认可和引用。该项目对CP对称性自发破缺的双黑格斯二重态模型（S2HDM）中一些重要的物理唯象进行系统研究，智能垃圾箱订制，指出S2HDM可以成为CP***起源的一种新物理模型。在电荷-宇称对称性***和夸克-轻子味物理理论研究方面
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电荷共轭—宇称（CP）对称性涉及到空间和物质的基本对称性，一直是粒子物理研究的前沿领域。Cronin和Fitch因发现CP***而荣获诺贝尔奖。但他们发现的只是间接CP***，分类垃圾箱订制，既可由弱作用引起，也可由超弱作用来解释。要区分它们，必须研究直接CP***。
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