电磁压力传感器
压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。
在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、铟InAs)、锗(Ge)、GaAs)及多层半导体质结构材料。
什么是动态压力传感器
压电效应是动态压力传感器的主要工作原理，动态压力传感器不能用于静态测量，因为经过外力作用后的电荷，只有在回路具有没有限大的输入阻抗时才得到保存。实际的情况不是这样的，所以这决定了动态压力传感器只能够测量动态的应力。
静态压力传感器和动态压力传感器区别
1、膜片式压力传感器是按传感器的结构来说的，按传感原理膜片式压力传感器可以分为压阻式、应变片式、电感式、电容式、压电式等不同类型。
2、在上述不同原理的压力传感器中，压电式压力传感器只适于测量动态压力，因而需要做动态标定;其它的动静态压力都可以测量，应用多的属于频率很低的准静态测量，因此静态标定是应用多的标定形式。当被测压力频带较宽时，各种压力传感器都应该做频响标定。
压力传感器如何抗干扰
压力传感器在工作时，经常会遇到各种干扰，导致压力传感器不能准确测量。压力传感器信号传输过程中干扰的形成必须具备三项因素，传感器VPRT-A3-1Mpa-4，即干扰源、干扰途径以及对噪声敏***较高的接收电路。因此消除或减弱噪声干扰的方法可以针对这三项中的其中任意一项采取措施。在压力传感器检测电路中比较常用的方法，是对干扰途径及接收电路采取相应的措施以消除或减弱噪声干扰
利用金属材料制成容器将需要保护的电路包在其中，可以有效防止电场或磁场的干扰，此种技术称为屏蔽技术。屏蔽又可分为静电屏蔽、电磁屏蔽和低频磁屏蔽等。这也是压力传感器为什么常采用金属外壳的重要原因。
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