层片式陶瓷电容器mlcc-四川片式陶瓷电容器-华瓷科技

温度补偿型

温度变化所造成的静电容量变化率较小，主要用于滤波、高频电路的耦合。当线圈与电容器被结合使用时，线圈的电感会随着温度的上升而增加，这时则可以利用负温度系数电容器来进行修正。

高诱电型

是一种采用了介电常数较高材料的电容器，片式陶瓷电容器的作用，具有静电容量较高的特点。主要作为电源电路的去耦电容器或平滑电路使用。与温度补偿型电容器相比，由于温度能够造成的静电容量变化较大，因此当用于滤波器等信号电路中时需要十分注意。

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视频作者：四川华瓷科技有限公司

失效模式分析

（1）在电场作用下，陶瓷电容器的击穿 ***遵循弱点击穿理论，而局部放电是产生弱点***的根源。除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压陶瓷电容，层片式陶瓷电容器mlcc，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节。环氧包封陶瓷电容器由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结。在电场作用下，组成高压陶瓷电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷（SPBT）会发生电机械应力，产生电致应变。当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平。

（2）介质内空洞：导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，四川片式陶瓷电容器，不断恶化，导致其耐压水平降低。

分类：按照温度特性、材质、生产工艺。MLCC可以分成如下几种：NP0、C0G、Y5V、Z5U、X7R、X5R等。NP0、C0G温度特性平稳、容值小、价格高；Y5V、Z5U温度特性大、容值大、价格低；X7R、X5R则介于以上两种之间。

按材料SIZE大小来分。大致可以分为 3225、3216、2012、1608、1005、0603、0402 数值越高。SIZE就更宽更厚。常用的为3225小为0402。

在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性，主要可分为两大类：BME化的C0G产品和LOW ESR选材的X7R(X5R)产品。